谈论微电子组件的开发

          军工信息系统的决定因素和核心技术,决定了设备的内在属性和性能,具有重要的战略地位和不可替代的作用,在国家的政治、军事、经济实力和科技水平的体现,是中国通过科学技术和国家生存、发展的重要战略资源。对武器装备和微电子组件的诞生和发展的需求是分不开的。从1947世界诞生的第一个晶体管,世界上第一个1958世界的集成电路的诞生,国防需求是一个不竭动力的发展微电子组件。战争的未来是信息战,关键在于集成电路。”

  微电子元件是小型化的电子器件,使用芯片和微电子系统技术的实现,因此可以使电路和器件性能,可靠性大大提高,大大降低了尺寸和成本。微电子器件包括半导体集成电路和半导体器件。集成电路包括数字集成电路、模拟集成电路和数字模拟混合(混合信号)集成电路的半导体集成电路。半导体器件包括微波功率器件和其它分立半导体器件。微电子技术分为单片集成电路、分立半导体器件、混合集成技术和微组装封装技术。

微电子技术与微电子技术发展的军事发展规律。在过去的50年里,特别是在过去30年中,微电子技术是沿着平行和独立的路线,第一行是按照穆尔的法律进展,硅数字集成电路(技术推动)。军用硅集成电路面临的挑战是如何解决芯片结构和设计的复杂问题。同时,高度可靠的半导体材料和工艺技术路线图是按照发展的成功,形成微电子组件的主流技术和产品开发,以及联合发展的军事和民用集成电路的情况。二是目前军事要求的主要借鉴。由于军用电子装备的迫切需求,高频设备,主要解决微波毫米波功率器件和单片微波集成电路(MMIC),和化合物半导体驱动人们去深入研究。不同的硅集成电路,微波功率器件和单片微波集成电路的主要挑战是一举三得,即解决了化合物半导体材料生长的控制问题,实现设备的一致性;实现无源阻抗匹配元件芯片上的布线管理;实现控制芯片的信号传输阻抗。

我们的军事微电子元件经过多年的努力,特别是通过近10年的快速发展,军用集成电路实现了0.25μm-0.5μm,技术水平在5英寸6英寸;产品设计实现0.18μm-90nm,数以百万计的大门的能力数。军用4英寸和vshic GaAs MMIC技术的研究和开发从0.5米到0.25米μμ提高线;性能的信号处理装置可与奔腾芯片586cpu /源/ DSP和powerpc603e星抗辐射处理器兼容(SPARCv8)基于SOI 1750A微处理器技术,如开发成功和狭窄中国与国际水平的差距;已经敲定为386 / 387中,486和其他兼容的CPU,TMS320C25 / 3X / 50和ADSP21160和其他兼容的DSP;4 bit-16m位存储器、高性能阵列器件等,可替代进口产品。8高速A/D转换器、12位50MSPS的A / D转换器,16使用A / D转换器,14位300MHz的DDS和抗辐射器件的直流/直流电源等已研制成功缓解高科技武器的迫切需要。硅双极功率GaAs MMIC器件和基本实践设备已经能够覆盖18GHz产品下,GaN和SiC宽禁带半导体微波功率器件取得重大突破。

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